Меню сайта
Из мира музыки
Форма входа
New track
Поиск
Наш опрос
Наш баннер
Статистика
Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Рекомендуем
Полезное
| Главная » Статьи » Статьи |
Особенности работы транзисторов в радиотехнике
Особенности работы транзисторов в радиотехникеПри разработке, ремонте и эксплуатации радиотехники следует принимать во внимание ее специфические особенности. Высокая надежность радиотехники может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость характеристик от режима работы, а также изменение характеристик транзисторов в процессе эксплуатации.Биполярные транзисторы сохраняют свои характеристики в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации техники могут изменяться в больших пределах. Данные условия характеризуются внешними механическими нагрузками и климатическими воздействиями (атмосферными и др.). Общие требования, справедливые для всех биполярных транзисторов, предназначенных для применения в аппаратуре определенного класса, есть в общих технических условиях. Нормы на значения электрических характеристик и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, содержатся в частных технических условиях. Для удобства разработки и ремонта основные аналоги транзисторов и их схемы приведены в справочнике. К преимуществам Интернет справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, простой поиск нужного транзистора по маркировке и аналогу. Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые параметры транзисторов и свойства могут изменяться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних факторов служат корпуса приборов. Конструктивное оформление электронных приборов рассчитано на их применение в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуатации. Важно помнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них электронными элементами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя. Все большее распространение получают так называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для применения в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита увеличивается общей герметизацией всей микросхемы. Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу полупроводникового оборудования, конструктор должен не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить соответствующие условия ее эксплуатации и хранения. Транзисторы - элементы универсального назначения. Они могут быть без нареканий использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других аппаратах. Но набор параметров и характеристик, расположенных в Интернет справочнике, соответствует главному назначению транзистора. В справочнике даны значения параметров транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов работы. Рабочий режим транзистора в ремонтируемом блоке часто отличается от того режима, для которого есть параметры в ТУ. Значения большинства характеристик транзисторов зависят от проектируемого режима и температуры, причем с увеличением температуры значения параметров от режима видно более сильно. В справочнике даны, как правило, типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Данные зависимости должны использоваться при установке типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные параметров трехполюсников одного типа не одинаковы, а лежат в некотором интервале. Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение. При конструировании компьютерной техники необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более больших интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при разработке могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — методом граничных испытаний. Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом функционируют в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока. В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых рабочая область составляет от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы имеют большое входное сопротивление при любых значениях потенциала на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. | |
| Просмотров: 839 | Рейтинг: 0.0/0 |